Name: Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHU4N80E-GE3
Price: 0.8984 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3

Artikelnummer:

SIHU4N80E-GE3

Hersteller / Marke:

Electro-Films (EFI) / Vishay

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHU4N80E-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	IPAK (TO-251)
Serie	E
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.27Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	69W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	622 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A (Tc)
Grundproduktnummer	SIHU4
SIHU4N80E-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIHU4N80E-GE3 PDF - EN.pdf

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